柱状晶シリコン
Columner Crystal Silicon
柱状晶シリコンは縦に一方向凝固した「柱状」の結晶構造を持つ多結晶シリコンです。
三菱マテリアル株式会社が、長年航空宇宙材料分野で培った高度な精密合金鋳造技術を基盤に、
当社独自に開発・実用化した材料で、現在半導体分野で大変高い評価をいただいております。
- シリコン結晶としては世界最大の大型材料（現状角型：□１０５０ｍｍ、丸型：Φ１０５０）のご提供が可能です。
- 柱状晶シリコンは他のシリコン素材と比べ、機械的に高い強度があります。
- 柱状晶シリコンは単結晶シリコンと同等の熱特性・加工性を有しています。
他の材料との物性比較
| 項目 | 単位 | シリコン（Si） | SiC | SiO2 | Si3N4 | ||
| 柱状晶 | 単結晶 | 多結晶 | |||||
| 密度 | g/cm2 | 2.33 |
2.33 |
2.33 |
3.1 |
2.2 |
3.2 |
| 融点 | ℃ | 1414 |
1414 |
1414 |
>2700 |
1550 |
1900 |
| 沸点 | ℃ | 2355 |
2355 |
2355 |
>2700分解 |
2950 |
- |
| 熱伝導率 | W/m・K | 163 |
160 |
162 |
67 |
1.3 |
29.3 |
| 平均熱膨張係数 | ppm/K | 3.34 |
3.43 |
3.33 |
4.3 |
0.5 |
3.1 |
| 比熱 | J/K・g | 0.73 |
0.74 |
0.72 |
0.2 |
0.7 |
0.71 |
| 曲げ強度 | MPa | 85.0 |
78.3 |
77.2 |
40.0 |
70.0 |
900.0 |
| ヤング率 | GPa | 160 |
193 |
160 |
408 |
72 |
27 |
| 屈折率 | － | 3.35 |
3.35 |
3.35 |
2.654 |
- |
- |
| 硬度 | － | 7 |
7 |
7 |
9.5 |
7 |
- |
製品加工例
|
円盤加工例（ターゲット材） |
角板加工例（ターゲット材） |
他の半導体材料からの置き換えをご検討のお客様
- 高純度品が存在しないカーボン、SiCを柱状晶シリコンに置き換えることにより、装置材料の高純度化を図ることができます。
- 単結晶シリコンでは装置部品製作のための大型品が市場に無く、装置設計上の自由度がありません。当社の柱状晶をご使用いただくことで、貴社の装置の可能性をさらに広げることができます。
当社製品納入実績
現在、以下のような分野のお客様に多くご使用いただいております。
| 主要分野 | 装置 | 部品例 |
| 半導体製造装置 | プラズマエッチング装置 | リング |
| ＣＶＤ用装置 | ダミーウェーハ | |
| アニール炉、拡散炉 | 均熱板 | |
| 液晶製造装置 | スパッタリング装置 | ターゲット |
納入部品例
|
|
CVD装置用サセプター |
CVD装置用サセプター（大口径サンプル品） |
