一方向凝固法－柱状晶シリコンインゴット鋳造プロセス－

柱状晶シリコンは、鋳造時にルツボ下部より結晶成長を開始させ、体積膨張を排除しながら成長を続けます。鋳造時に不純物排斥と内部残留応力の開放を同時に行っているため、残留内部応力が少なく、かつ高純度なインゴットが製造できます。

柱状晶シリコン鋳造炉

当社では、半導体シリコン鋳造用としては世界最大となる1200mm×1200mm×500mmHのインゴットが鋳造可能な大型鋳造炉を有しております。